آزمایش تست دیود (تحقیق)

آزمایش تست دیود (تحقیق)

فایل آزمایش تست دیود (تحقیق) را از سایت ما دانلود کنید.جهت دانلود بروی دکمه آبی رنگ دریافت فایل کلیک کنید.

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت تعداد صفحات: 7   آزمایش تست دیود وسایل مورد نیاز : یک منبع متناوب با فرکانسHz50 ، یک عدد مقاومت 1 k اهم و یک مقاومت 1000k اهم و دیود برد بورد . هدف از این آزمایش تست کردن دیود می باشد و قسمتی که مقاومت بیشتری را نشان می دهد کاترو قسمت دیگر آن را است . نکته : در زمان هدایت دیود اتصال کوتاه می باشد . مدار را مانند شکل مقابل روی برد بورد نصب کرد و توسط قانون KVL و VS را بدست می آوریم KVL = VS + 100 ID + VD = 0 VS = 100 ID + VD VS = 100 ID در مرحله دوم مقاومت 1 k اهم را از مدار جدا کرده و دوباره VS را بدست می آوریم .ولی به منبع DC وصل می کنیم . VR = 100 IS IS = ID = = KVL= VS + VR+ VD = 0 VS = VR + VD VS = 100IS + VD 8 6 4 2 VS 800 600 400 200 VR 15،6 25 50 ID آزمایش اندازه گیری ولتاژ جریان پر مقاومت وسایل مورد نیاز : یک مقاومت 10K اهم و یک منبع DC 10V و دو عدد مقاومت 1 K اهم و ولتی متر . نکته قابل توجه در این آزمایش داغ شدن مقاومت 1 K اهم می باشد دلیل این اتفاق این است که چون مقاومت به صورت موازی با م ...

518 - بررسی ترانزیستور و خازن و دیود و مقاومت الکتریکی و بررسی انواع آنها

518 - بررسی ترانزیستور و خازن و دیود و مقاومت الکتریکی و بررسی انواع آنها

فایل 518 - بررسی ترانزیستور و خازن و دیود و مقاومت الکتریکی و بررسی انواع آنها را از سایت ما دانلود کنید.جهت دانلود بروی دکمه آبی رنگ دریافت فایل کلیک کنید.

                  فرمت فایل:   ورد – Word و قابل ویرایش تعداد صفحات: 23         ترانزیستور علم الکترونیک با اختراع ترانزیستور وارد فاز جدیدی از تحقیق و اختراع شد .هر روز اخباری را مبنی بر اختراعات جدید در زمینه الکترونیک می شنویم که مطمئنا در کالبد شکافی این اختراعات به نقش پر اهمیت ترانزیستور پی خواهیم برد .       ترانزیستور یک قطعه سه پایه است که ساختار فیزیکی آن بر اساس عملکرد نیمه هادی ها می باشد.ترانزیستور را از دو نوع نیمه هادی با نام سلسیوم و ژرمانیوم می سازند.عموما در یک تقسیم بندی ترانزیستور ها را به دو دسته ترانزیستور های BJT و FET   تقسیم می کنند . ترانزیستور های BJT با نام ترانزیستور های پیوند دو قطبی و ترانزیستور های FET با نام ترانزیستور های اثر میدان شناخته شده ¬ اند. FET ها دارای سرعت سوئیچینگ کمتر از BJT   هستند . معمولا ترانزیستور را با دو دیود مدل سازی می کنند از این مدل برای تشخیص سالم بودن ترانزیستور استفاده می کنند.عملکرد ترانزی ...